Introducción
La clasificación aduanera de un ”Panel de Luz LED" requiere de una partida arancelaria para lo cual es necesario un buen análisis y una correcta interpretación, tomando en cuenta los diferentes aspectos, características y funcionamientos de esta mercancía. En este blog nos enfocaremos en clasificar un Panel de Luz LED para cultivo de plantas.
Descripción de la mercancía
El panel LED de alta potencia es ideal para todas las fases de crecimiento de la planta e interactúa bien con la cultura del agua y la cultura del suelo. Por lo tanto, encuentra uso en el jardín doméstico, la exposición de flores, los invernaderos, bodegas y acuarios. En este caso es una manera increíble de cómo cultivar plantas en el interior en la sala, el invernadero o el sótano. Se puede usar para cultivar orquídeas, rosas, pimientos, tomates, albahaca, lechuga, hierbas, repollo, espinacas, verduras, brócoli, flores, pepinos y muchas otras frutas y verduras. También es adecuado para el cultivo de plantas de interior. La lámpara de crecimiento LED es también una buena opción incluso para la clonación de plantas y plántulas y para todas las fases del crecimiento de la planta.
Se puede colocar con seguridad incluso en espacios reducidos porque no se sobrecalientan. La luz LED para plantas incluye luz roja y azul, con el fin de promover y mantener el máximo crecimiento de la planta. Las plantas necesitan espectro de luz roja y azul para un crecimiento saludable y rápido y para el proceso natural de la fotosíntesis.
La lámpara LED tiene la máxima eficiencia energética que se utiliza para estimular el crecimiento de las plantas, es segura para el medioambiente y no contiene mercurio debido a que es una tecnología LED. La lámpara ha sido diseñada para salvar el medio ambiente y es extremadamente eficiente en energía en comparación con los sistemas de iluminación fluorescentes estándar, lo que se refleja en los bajos costos de operación.
Tiene un cuerpo de aluminio que aleja el mínimo calor generado del diodo LED. El aluminio también asegura un peso ligero de la lámpara. La fuente de luz consiste en diodos SMD LED de alta potencia . El entorno de trabajo para el funcionamiento de las luces LED es de -20 ° a 55 ° C y una humedad del 5% al 95%.
El panel LED proporciona espectro completo. La luz roja tiene una longitud de onda de 630-660 nm y una frecuencia de 400-484 THz . La luz azul tiene una longitud de onda de 430-460nm y una frecuencia de 606-668THz, la luz IR tiene 730nm, la luz ultravioleta tiene 380nm, la luz blanca cálida tiene 3500K y la luz blanca es de 6500K. El espectro rojo se usa para la clorofila A y la clorofila B. Las plantas generalmente necesitan todas las longitudes de onda rojas para su crecimiento y desarrollo saludables. El espectro azul es el punto máximo máximo para el crecimiento vegetativo y la absorción. La luz blanca proporciona el llenado de todos los espectros faltantes. La luz cálida proporciona energía y es compatible con la fotosíntesis de la planta. La luz UV tiene una función de esterilización única y mata las bacterias fitopatógenas. IR asegura la floración y germinación.
La fotosíntesis ocurre fundamentalmente desde la luz roja y, en segundo lugar, desde la luz azul. Sin embargo, para muchas plantas también es necesaria la luz azul debido a su regulación de crecimiento, floración y formación de frutos. Por lo tanto, grow light LED es adecuada para el cultivo de todas las etapas del desarrollo de la planta.
Regla General Interpretativa
I) que la clasificación arancelaria de las mercaderías se rige por los principios contenidos en las Reglas Generales para la Interpretación del Sistema Armonizado;
II) que de acuerdo a las Reglas Generales para la Interpretación del Sistema Armonizado (RGI), la RGI 1 establece que “Los títulos de las Secciones, de los Capítulos o de los Subcapítulos sólo tienen un valor indicativo, ya que la clasificación está determinada legalmente por los textos de las partidas y de las Notas de Sección o de Capítulo…”;
III) que la mercadería objeto de consulta es un "Panel de Luz LED para cultivo de plantas" la cual se trata de luces de crecimiento de plantas en interiores, esto es eficiente energéticamente.
IV) que la Sección XVII, el Capítulo 85 incluye entre otros a: “Máquinas, aparatos y material eléctrico, y sus partes; aparatos de grabación o reproducción de sonido, aparatos de grabación o reproducción de imagen y sonido en televisión, y las partes y accesorios de estos aparatos”;
V) que la partida 85.41 comprende: “Diodos, transistores y dispositivos semiconductores similares; dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles; diodos emisores de luz; cristales piezoeléctricos montados”;
VI) que para la determinación de la subpartida es de aplicación la RGI 6 que establece: “La clasificación de mercancías en las subpartidas de una misma partida está determinada legalmente por los textos de las subpartidas y de las Notas de subpartida así como, mutatis mutandis, por las Reglas anteriores, bien entendido que solo pueden compararse subpartidas del mismo nivel. A efectos de esta Regla también se aplican las Notas de Sección y de Capítulo, salvo disposición en contrario.”;
VII) por tratarse de un Panel de Luz LED para cultivo de plantas se debería tener en cuenta la subpartida 8541.40.10.00
Definición Notas Explicativas págs. 1072 - 1073
85.41 Diodos, transistores y dispositivos semiconductores similares; dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las celulas fotovoltaicas, aunque esten ensambladas en modulos o paneles; diodos emisores de luz; cristales piezoelectricos montados.
8541.10 – Diodos, excepto los fotodiodos y los diodos emisores de luz. – Transistores, excepto los fototransistores:
8541.21 – – Con una capacidad de disipación inferior a 1 W.
8541.29 – – Los demás.
8541.30 – Tiristores, diacs y triacs, excepto los dispositivos fotosensibles.
8541.40 – Dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles; diodos emisores de luz.
8541.50 – Los demás dispositivos semiconductores.
8541.60 – Cristales piezoeléctricos montados.
8541.90 – Partes.
A. - DIODOS, TRANSISTORES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES SIMILARES
Los artículos de este grupo se definen en la Nota 8 a) de este Capítulo.
Se trata de dispositivos cuyo funcionamiento se basa en las propiedades electrónicas de algunas materias llamadas semiconductoras.
Estas materias se caracterizan principalmente por la resistividad que, a temperatura ambiente, está comprendida entre la de los conductores (metales) y la de los aislantes. Consisten principalmente en ciertos minerales (por ejemplo, galena cristalina), en elementos químicos de valencia 4 (germanio, silicio, etc.), o bien, en una combinación de elementos químicos (por ejemplo, de valencia 3 y de valencia 5: arseniuro de galio, antimoniuro de indio, etc.). Las que consisten en un elemento químico de valencia 4 son generalmente monocristalinas. No se utilizan puras sino después de haber sido ligeramente impurificadas en una proporción expresada en partes por millón mediante una impureza determinada. Para un elemento de valencia 4, la impureza puede consistir en un elemento de valencia 5 (fósforo, arsénico, antimonio, etc.), o bien, en un elemento de valencia 3 (boro, aluminio, galio, indio, etc.). En el primer caso, se obtiene un semiconductor de tipo N, caracterizado por un exceso de electrones (carga negativa); en el segundo caso, un semiconductor de tipo P que se caracteriza por una falta de electrones, es decir, con predominio de huecos o lagunas (de carga positiva). Las materias semiconductoras que proceden de la asociación de elementos químicos de valencia 3 y de elementos de valencia 5 también se dopan. En cuanto a las materias semiconductoras que consisten en determinados minerales, las impurezas quecontienen naturalmente hacen el oficio de dopantes. Los dispositivos semiconductores de este grupo llevan generalmente una o varias uniones entre las materias semiconductoras de tipo P y de tipo N.
Entre estos dispositivos se pueden citar:
I. Los diodos. Son dispositivos con dos bornes, que sólo tienen una unión PN y que permiten el paso de la corriente en un sentido y, por el contrario, oponen gran resistencia en el otro sentido. Se utilizan para la detección, rectificación, conmutación, etc. Los principales tipos de diodos son: los diodos de señal, los diodos rectificadores de potencia, los diodos reguladores de tensión, los diodos de tensión de referencia. II. Los transistores. Son dispositivos de tres o cuatro bornes, susceptibles de producir una amplificación,
una transformación de frecuencia, o una conmutación de la corriente eléctrica. El funcionamiento del dispositivo se basa en la variación de la resistividad entre dos bornes cuando se aplica un campo eléctrico al tercer borne. La señal de mando o el campo que se aplica es más débil que la señal de salida provocada por la modificación de la resistencia, lo que se traduce en una amplificación de la señal.
Pertenecen principalmente a la categoría de los transistores:
1) Los transistores bipolares que son dispositivos de tres bornes con dos uniones del tipo diodo y cuya acción depende al mismo tiempo de los portadores de carga positivos y negativos (de aquí la denominación bipolar).
2) Los transistores de efecto de campo (conocidos también con el nombre de semiconductores de óxido metálico (MOS)) que pueden llevar o no llevar uniones y cuyo funcionamiento depende del empobrecimiento (o enriquecimiento) inducido de los portadores de carga que se encuentran entre los dos bornes. El funcionamiento de los transistores de efecto de campo sólo depende de un tipo de portador de carga (de aquí el nombre de unipolar). Los transistores de tipo MOS pueden tener cuatro bornes y se designan con el nombre de tetrodos.
III. Los dispositivos semiconductores similares. Se consideran dispositivos similares, a efectos de este grupo, los dispositivos semiconductores cuyo funcionamiento se basa en la variación de la resistividad, bajo la influencia de un campo eléctrico.
Pertenecen principalmente a esta categoría:
1) Los tiristores, que son dispositivos constituidos por cuatro zonas de conductividad (tres o más uniones PN) de materias semiconductores a través de las cuales pasa una corriente en una dirección determinada cuando los impulsos de mando provocan la conducción. Los tiristores funcionan como dos transistores complementarios montados en oposición. Se utilizan como rectificadores controlados, como interruptores, o bien, como amplificadores.
2) Los triacs, que son tiristores triodos bidireccionales constituidos por zinco zonas de conductividad (cuatro uniones PN) de materias semiconductoras a través de las que pasa una corriente alterna cuando los impulsos de mando provocan la conducción.
3) Los diacs, que son dispositivos constituidos por tres zonas de conductividad (dos uniones PN) de materias semiconductoras y que se utilizan para proporcionar a los triacs los impulsos positivos o negativos necesarios para su funcionamiento.
4) Los varactores o diodos de capacidad variable.
5) Los dispositivos de efecto de campo, tales como los gridistores.
6) Los dispositivos de efecto “Gunn”.
Por el contrario, no están comprendidos en este grupo, los dispositivos semiconductores que, a diferencia de los contemplados anteriormente, funcionan principalmente por la influencia de la temperatura, de la presión, etc. Tal es el caso, en especial, de las resistencias no lineales semiconductoras (termistores, varistores, magnetorresistencias, etc.) (partida 85.33).
En lo que respecta a los dispositivos fotosensibles que funcionan por la acción de rayos luminosos (fotodiodos), véase el apartado B. Los dispositivos descritos anteriormente se clasifican en esta partida, tanto si se presentan montados, es decir, provistos ya de los terminales o encapsulados (componentes), como si se presentan sin montar (elementos) o, incluso, en discos (obleas) sin cortar todavía. Las materias semiconductoras naturales (por ejemplo, la galena) sólo se clasifican aquí si están montadas. Independientemente de las exclusiones ya previstas, no se clasifican en esta partida los elementos químicos del Capítulo 28, tales como el silicio y el selenio dopados para su utilización en electrónica, incluso cortados en forma de discos, plaquitas o formas análogas, pulidos o sin pulir, con una capa epitaxial uniforme o sin ella con la condición de que no hayan sido objeto de dopaje o difusión selectivas para crear regiones discretas.
B. - DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES FOTOSENSIBLES
Este grupo comprende los dispositivos semiconductores fotosensibles en los que las radiaciones visibles, infrarroja o ultravioleta, provocan por un efecto fotoeléctrico interno, una variación de la resistividad o la aparición de una fuerza electromotriz. Los tubos fotoemisores (células fotoemisoras), cuyo funcionamiento esté basado en el efecto fotoeléctrico externo (fotoemisión) pertenecen a la partida 85.40.
Los principales tipos de dispositivos semiconductores fotosensibles son los siguientes:
1) Las células fotoconductoras (fotorresistencias), constituidas comúnmente por dos electrodos entre los que se ha intercalado una sustancia semiconductora (sulfuro de cadmio, sulfuro de plomo, etc.) que tiene la propiedad de ofrecer al paso de la corriente una resistencia cuyo valor varía según la intensidad luminosa que incide en la célula.
Se utilizan para la detección de llamas, para medir el tiempo de exposición de aparatos fotográficos, para contar objetos en movimiento, para la apertura automática de puertas, etc.
2) Las células fotovoltaicas o fotopilas, que transforman directamente la luz en energía eléctrica sin necesidad de una fuente exterior de corriente. Las células de selenio se utilizan principalmente para la fabricación de luxómetros y exposímetros. Las células de silicio tienen un rendimiento más elevado y se prestan principalmente a la utilización en el mando y regulación, para la detección de impulsos luminosos, en los sistemas de comunicación por fibras ópticas, etc.
Se distinguen especialmente entre estas células:
1°) Las células solares, células fotovoltaicas de silicio que transforman la luz solar directamente en energía eléctrica. Se utilizan generalmente en grupos para alimentar con energía eléctrica los cohetes o los satélites de investigaciones espaciales, emisoras de socorro de montaña, etc. Permanecen clasificadas aquí las células solares, incluso ensambladas en módulos o constituyendo paneles. Por el contrario, se excluyen de esta partida los paneles o los módulos equipados con dispositivos, incluso muy sencillos (por ejemplo, diodos para dirigir la corriente) que permitan suministrar energía directamente utilizable, por ejemplo, por un motor o un aparato de electrólisis (partida 85.01).
2°) Los fotodiodos (de germanio o silicio, principalmente), que se caracterizan por una variación de la resistividad cuando las radiaciones luminosas inciden sobre la unión PN. Se utilizan en procesamiento de datos (lectura de memorias), como fotocátodos en ciertos tubos electrónicos, en los pirómetros de radiación, etc. Los fototransistores y los fototiristores pertenecen a esta categoría de receptores fotoeléctricos. Cuando están encapsulados, estos dispositivos se distinguen de los diodos, transistores y tiristores del aparato A anterior por la cubierta, en parte transparente para permitir el paso de la luz.
3°) Los pares fotoeléctricos y los fotorrelés, constituidos por la asociación de diodos electroluminiscentes y de fotodiodos, fototransistores y fototiristores. Los dispositivos semiconductores fotosensibles se clasifican en esta partida, tanto si se presentan montados, es decir, con los terminales o encapsulados, como si se presentan sin montar.
C.- DIODOS EMISORES DE LUZ
Los diodos emisores de luz o diodos electroluminiscentes (principalmente el arseniuro de galio o fosfuro de galio) son dispositivos que transforman la energía eléctrica en radiaciones visibles, infrarrojas o ultravioletas. Se utilizan principalmente para la visualización o la transmisión de información en los sistemas de procesamiento de datos. Los diodos láser emiten luz coherente. Se utilizan para la detección de partículas nucleares, en altimetría o en telemetría, en los sistemas de comunicación por fibras ópticas, etc.
D.- CRISTALES PIEZOELECTRICOS MONTADOS.
Se utilizan las propiedades piezoeléctricas de determinados cristales, principalmente los cristales de titanato de bario (incluidos los elementos policristalinos polarizados de titanato de bario, circotitanato de plomo u otros cristales de la partida 38.24 (véase la Nota Explicativa correspondiente) así como los cristales de cuarzo o de turmalina, en los micrófonos, altavoces, producción o captación de ultrasonidos, osciladores con gran estabilidad de frecuencia, etc. Sólo se clasifican en esta partida los cristales montados. Se presentan generalmente en forma de placas, barras, discos, anillos, etc., y deben tener, por lo menos, terminales o conexiones eléctricas. Pueden estar recubiertos de grafito, de barniz, etc., o dispuestos en soportes y frecuentemente están colocados en una envolvente (caja metálica, ampolla de vidrio o montura de otras materias). Sin embargo, cuando el conjunto (montura y cristal) ha sobrepasado, por unión de otros dispositivos, la fase de un simple cristal montado y ha adquirido el carácter de una parte netamente determinada de máquina o aparato, este último ensamblado se clasifica como pieza de la máquina o aparato, por ejemplo, células piezoeléctricas para micrófonos o altavoces de la partida 85.18, célula fonocaptora de la partida 85.22, palpador para aparato detector y medidor de espesores por ultrasonido de la partida 90.33, oscilador de cuarzo para reloj electrónico de la partida 91.14.
Se excluyen además de esta partida los cristales piezoeléctricos sin montar (generalmente: partidas 38.24, 71.03 o 71.04).
PARTES
Salvo lo dispuesto con carácter general respecto a la clasificación de partes (véanse las Consideraciones Generales de la Sección XVI), están igualmente comprendidas aquí las partes de los artículos de esta partida.
Nota Explicativa de Subpartida.
Subpartida 8541.21
La capacidad de disipación de un transistor se mide aplicándole la tensión de funcionamiento especificada y midiendo la potencia que pueden soportar permanentemente a una temperatura de 25° C. Por ejemplo, si el transistor puede soportar una carga permanente de 0.2 amperios a una tensión de funcionamiento especificado de 5 voltios y una temperatura que se mantenga a 25°C, la capacidad de disipación es de 1 vatio (intensidad x tensión = potencia).
Para los transistores con medios de disipación del calor (por ejemplo, caja metálica o pastilla), la temperatura de referencia de 25°C es la del zócalo o caja, mientras que para los demás transistores (por ejemplo, con una simple envolvente de plástico), es la del aire ambiente.
Clasificación Arancelaria
Sección XVI Máquinas y aparatos, material eléctrico y sus partes; aparatos degrabaciòn o reprodución de sonido, aparatos de grabación o reproducción de imagen y sonido en televisión, y las partes y accesorios de estos aparatos
Capítulo 85: Máquinas, aparatos y material eléctrico, y sus partes; aparatos de grabación o reproducción de sonido, aparatos de grabación o reproducción de imagen y sonido en televisión, y las partes y accesorios de estos aparatos
Partida: 85.41 Diodos, transistores y dispositivos semiconductores similares; dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles; diodos emisores de luz; cristales piezoeléctricos montados.
Subpartida: 8541.40.10.00 - - Células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles
Restricción y prohibición
Prohibición de exportación e importación en todos los regímenes desde o hacia la República Popular de Corea.
Mecanismos Arancelarios
FODINFA 0.5%
IVA 12%
Conclusión
El cultivo interior led es ya presente. La iluminación led especial para el crecimiento de plantas, ofrece múltiples ventajas además del ahorro energético. Los dispositivos LED consumen hasta 5 veces menos energía, poseen una vida util mucho mayor y no generan exceso de calor dañino a las plantas.
Recomendación
A la hora de elegir nuestro equipo de iluminación nos tenemos que fijar en diferentes elementos. Elementos tales como eficiencia luminosa, los lúmenes que nos produce, la potencia etc. Pero en el principal elemento en el que nos tenemos que fijar es en los materiales, debido que estos decidirán todos los demás factores. Es decir, es imposible conseguir una buena eficiencia luminosa si los chips del LED no son buenos o de nada sirve tener buenos chips si los materiales exteriores no aguantan el calor o no tienen buena refracción..
Fuentes
Arancel Nacional Sexta Enmienda Resolución-No.-020-2017 del Comité de Comercio Exterior
Versión Única En Español De Las Notas Explicativas Del Sistema Armonizado (Vuenesa) Notas Explicativas Que Incorporan La Cuarta Enmienda Del Sistema Armonizado (25 de julio del 2007)
Autor
Robinson Snaider Mera Haro
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